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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
50
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2501
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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