RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
53
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2319
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link