RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
50
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
2257
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link