RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
50
Rund um -163% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
15.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
3435
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link