RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
50
75
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
1,905.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,143.3
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,905.1
7.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
855
1763
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link