RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
59
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
13.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3447
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link