RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
59
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
14.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3540
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link