RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3164
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link