RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
59
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
6.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
2044
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99P5471-013.A00LF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link