RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
59
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
13.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
3186
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link