RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2873
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link