RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
33
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3509
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link