RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
72
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
1682
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link