RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
34
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2516
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link