RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
33
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2648
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link