RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
36
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2966
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link