RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
33
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2935
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link