RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
33
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2733
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link