RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2238
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link