RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
33
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2902
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link