RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3147
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link