RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
54
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
2176
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link