RAM-Vergleich Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.9 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.5 10.4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 38

Rund um -36% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2400 2354

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns