RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
17.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3972
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link