RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
29
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3542
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link