RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
29
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
17.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3942
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link