RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3158
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link