RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
29
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.7
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
16.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3609
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link