RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
14.5
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3489
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link