RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
10.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
2155
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link