RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
40
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2400
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link