RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
9.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2427
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link