RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
94
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
4.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
5.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
4.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
1334
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link