RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3466
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link