RAM-Vergleich Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Gesamtnote

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 40

Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.6 13.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.7 8.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 10600

Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2035 3007

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns