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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2204
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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