RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3282
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link