RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
75
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
1717
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link