Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 28
    Rund um -12% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.9 left arrow 12.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 15.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 12.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2112 left arrow 3023
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche