RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3606
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 1066G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link