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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
23.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
18.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
4124
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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