RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3122
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link