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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3705
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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