RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
35
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2765
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link