RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2907
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link