RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2658
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link