RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
28
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
19.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3829
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link