RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2994
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link