RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
11
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2220
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link