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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
42
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
6.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
1331
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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